此設(shè)備主要用于生長(zhǎng)6英寸N型及半絕緣碳化硅單晶。碳化硅單晶具有高熱導(dǎo)率、 高化學(xué)穩(wěn)定性、低熱膨脹、高飽和電子漂移率等優(yōu)點(diǎn),在白光高效照明、電力輸送與 轉(zhuǎn)換、耐高壓電力電子器件等民用領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,同時(shí)在雷達(dá)通訊、艦船等軍事領(lǐng)域可提高軍事電子系統(tǒng)和武器裝備的性能,有著明確應(yīng)用背景。
蔡先生
13901955336
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